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*** 发表于 2018-8-2 11:36

申请会员ID：单刀赴宴会【申请通过】

1、申 请 I D：单刀赴宴会
2、个人邮箱：29674146@qq.com
3、原创技术文章：
            运用silvaco仿真设计场限环隔离结构研究对击穿电压的影响
这里先说总体思路吧 一次对比环的个数，环间距，环宽对击穿电压影响。这里只介绍下建模过程 下面的研究对比就不说了
附上建模程序    本人心血啊
# (c) Silvaco Inc., 2013go athena# line x loc=0.00 spac=1.0 line x loc=95.0 spac=.5line x loc=96.0 spac=3.0line x loc=99.0 spac=.5line x loc=110.0 spac=.5line x loc=119.0 spac=.5line x loc=127.0 spac=.5line x loc=130.0 spac=3.0line x loc=133.0 spac=.5line x loc=155.0 spac=.5line x loc=163.0 spac=.5line x loc=166.0 spac=3.0line x loc=169.0 spac=.5line x loc=193.0 spac=.5line x loc=201.0 spac=.5line x loc=204.0 spac=3.0line x loc=207.0 spac=.5line x loc=233.0 spac=.5line x loc=241.0 spac=.5line x loc=244.0 spac=3.0line x loc=247.0 spac=.5line x loc=280.0 spac=.5line x loc=295.0 spac=3.0line x loc=310.0 spac=3.0line x loc=315.0 spac=3.0line x loc=335.0 spac=3.0line x loc=345.0 spac=3.0line x loc=350.0 spac=5.0 #line y loc=0.00 spac=0.1 line y loc=2.00 spac=0.5line y loc=12.0 spac=2.0line y loc=50.0 spac=5.0line y loc=120.0 spac=10.# init c.phosphor=6e13 orientation=100 space.mult=4# deposit oxide thick=2.50 dy=0.40#etch oxide left p1.x=99#etch oxide start x=127 y=-3etch oxide cont x=127 y=0etch oxide cont x=133 y=0etch oxide done x=133 y=-3#etch oxide start x=163 y=-3etch oxide cont x=163 y=0etch oxide cont x=169 y=0etch oxide done x=169 y=-3#etch oxide start x=201 y=-3etch oxide cont x=201 y=0etch oxide cont x=207 y=0etch oxide done x=207 y=-3# implant boron dose=1.0e15 energy=100 # method fermi compressdiffus time=420 temp=1100 nitro# etch oxide right p1.x=335.00#deposit poly thick=.8 dy=0.40 c.boron=1e19# etch poly left p1.x=95.00#etch poly start x=119 y=-4etch poly cont x=119 y=0etch poly cont x=130 y=0etch poly done x=130 y=-4#etch poly start x=155 y=-4etch poly cont x=155 y=0etch poly cont x=166 y=0etch poly done x=166 y=-4#etch poly start x=193 y=-4etch poly cont x=193 y=0etch poly cont x=204 y=0etch poly done x=204 y=-4#etch poly start x=233 y=-4etch poly cont x=233 y=0etch poly cont x=310 y=0etch poly done x=310 y=-4# etch poly right p1.x=345.00# deposit alumin thick=.8 dy=0.40# etch aluminum start x=110.0 y=-8.0etch aluminum cont x=110.0 y=0.0etch aluminum cont x=315.0 y=0.0etch aluminum done x=315.0 y=-8.00#electrode name=anode x=0electrode name=cathode x=350electrode name=plate1 x=150electrode name=plate2 x=180electrode name=plate3 x=220electrode name=substrate backside structure outfile=powerex05_0.str tonyplotpowerex05_0.str -set powerex05_0.set# go atlas contact name=plate1 resist=1e20contact name=plate2 resist=1e20contact name=plate3 resist=1e20models bipolar print impact selboutput e.field method newton trap maxtraps=10solve init log outf=powerex05_1.logsolve vanode=-1 vstep=-1 vfinal=-5 name=anode solve vanode=-5 vstep=-5 vfinal=-25 name=anodesolve vanode=-25 vstep=-25 vfinal=-900 name=anodesave outf=powerex05_2.str tonyplot powerex05_1.log -set powerex05_1.settonyplot powerex05_2.str -set powerex05_2.setquit
这里是3个环时候的基础数据 下一组只需修改个别参数就可以了
这是结果图 到这里建模就完成了
下面只需要对比研究就可以了 就不继续赘述了
         

Hmily 发表于 2018-8-3 11:42

高科技啊，看不懂，不过内容也太少了，给我们讲解下这是什么？

Si1ence丶 发表于 2018-8-3 14:55

感觉很厉害的样子

*** 发表于 2018-8-3 19:40

Hmily 发表于 2018-8-3 11:42
高科技啊，看不懂，不过内容也太少了，给我们讲解下这是什么？

这个silvaco就是一个仿真的软件 这里就是用软件建立了一个器件模型 建立的是一种半导体器件
过程呢就是先用程序定义出网格 之后形成硅衬底， 然后沉积氧化物之后刻蚀氧化物的这个涂层（沉积刻蚀的范围就是程序里的数字 这个就是自己画个草图 简单加减法就出来了） 之后再沉积一层AL。最后再加上一层电极 就仿真出了一个场限环的物理模型 利用这个程序还可以继续输出器件击穿的曲线图（程序里刻蚀，电极的数位不能出错 不然器件不会发生击穿）

*** 发表于 2018-8-3 19:49

Hmily 发表于 2018-8-3 11:42
高科技啊，看不懂，不过内容也太少了，给我们讲解下这是什么？

贴出来的程序代码他自动排在一起了 我在放个2个环的时候吧
# (c) Silvaco Inc., 2013
go athena
#
line x loc=0.00 spac=1.0
line x loc=95.0 spac=.5
line x loc=96.0 spac=3.0
line x loc=99.0 spac=.5
line x loc=110.0 spac=.5
line x loc=119.0 spac=.5
line x loc=127.0 spac=.5
line x loc=130.0 spac=3.0
line x loc=133.0 spac=.5
line x loc=155.0 spac=.5
line x loc=163.0 spac=.5
line x loc=166.0 spac=3.0
line x loc=169.0 spac=.5
line x loc=193.0 spac=.5
line x loc=201.0 spac=.5
line x loc=204.0 spac=3.0
line x loc=207.0 spac=.5
line x loc=233.0 spac=.5
line x loc=241.0 spac=.5
line x loc=244.0 spac=3.0
line x loc=247.0 spac=.5
line x loc=280.0 spac=.5
line x loc=295.0 spac=3.0
line x loc=310.0 spac=3.0
line x loc=315.0 spac=3.0
line x loc=335.0 spac=3.0
line x loc=345.0 spac=3.0
line x loc=350.0 spac=5.0
#
line y loc=0.00 spac=0.1
line y loc=2.00 spac=0.5
line y loc=12.0 spac=2.0
line y loc=50.0 spac=5.0
line y loc=120.0 spac=10.
#
init c.phosphor=6e13 orientation=100 space.mult=4
#
deposit oxide thick=2.50 dy=0.40
#
etch oxide left p1.x=99
#
etch oxide start x=127 y=-3
etch oxide cont x=127 y=0
etch oxide cont x=133 y=0
etch oxide done x=133 y=-3
#
etch oxide start x=163 y=-3
etch oxide cont x=163 y=0
etch oxide cont x=169 y=0
etch oxide done x=169 y=-3
#
implant boron dose=1.0e15 energy=100
#
method fermi compress
diffus time=420 temp=1100 nitro
#
etch oxide right p1.x=335.00
#
deposit poly thick=.8 dy=0.40 c.boron=1e19
#
etch poly left p1.x=95.00
#
etch poly start x=119 y=-4
etch poly cont x=119 y=0
etch poly cont x=130 y=0
etch poly done x=130 y=-4
#
etch poly start x=155 y=-4
etch poly cont x=155 y=0
etch poly cont x=166 y=0
etch poly done x=166 y=-4
#
etch poly start x=193 y=-4
etch poly cont x=193 y=0
etch poly cont x=310 y=0
etch poly done x=310 y=-4
#
etch poly right p1.x=345.00
#
deposit alumin thick=.8 dy=0.40
#
etch aluminum start x=110.0 y=-8.0
etch aluminum cont x=110.0 y=0.0
etch aluminum cont x=315.0 y=0.0
etch aluminum done x=315.0 y=-8.00
#
electrode name=anode x=0
electrode name=cathode x=350
electrode name=plate1 x=150
electrode name=plate2 x=180
electrode name=substrate backside

structure outfile=powerex05_0.str

tonyplotpowerex05_0.str -set powerex05_0.set
#

go atlas

contact name=plate1 resist=1e20
contact name=plate2 resist=1e20

models bipolar print
impact selb
output e.field

method newton trap maxtraps=10
solve init

log outf=powerex05_1.log
solve vanode=-1 vstep=-1 vfinal=-5 name=anode
solve vanode=-5 vstep=-5 vfinal=-25 name=anode
solve vanode=-25 vstep=-25 vfinal=-900 name=anode
save outf=powerex05_2.str

tonyplot powerex05_1.log -set powerex05_1.set
tonyplot powerex05_2.str -set powerex05_2.set
quit
红色部分代码仿真出来就是器件图内圈紫色外面蓝色那里
蓝色部分代码就是anode那一水平线上的青色部分 中间的空白就是刻蚀出来的

仙泽_ 发表于 2018-8-3 22:41

Hmily 发表于 2018-8-6 15:18

*** 发表于 2018-8-3 19:49
贴出来的程序代码他自动排在一起了 我在放个2个环的时候吧
# (c) Silvaco Inc., 2013
go athena


还是看不懂。。。就是用模拟软件通过自己设置的一些参数来实现模拟？

*** 发表于 2018-8-8 10:18

Hmily 发表于 2018-8-6 15:18
还是看不懂。。。就是用模拟软件通过自己设置的一些参数来实现模拟？

是的 只要是半导体器件都可以模拟出来

Hmily 发表于 2018-8-8 11:14

*** 发表于 2018-8-8 10:18
是的 只要是半导体器件都可以模拟出来

那难度在于哪了？比如你写的这内容。

*** 发表于 2018-8-11 21:38

Hmily 发表于 2018-8-8 11:14
那难度在于哪了？比如你写的这内容。

难度就是要自己定义网格以及器件各个部分的数值。要在纸上画出器件结构图的坐标系，通过计算 规划出氧化物的厚度，刻蚀的长度以及电极的位置的数值，这几个部分的数值是在一定范围的 超出范围就模拟不出击穿的现象，比如主结的长度 一定要在90-100之间，主结长度太小主结分压能力就减小。这个数值都是在范围内一个一个试，模拟的时候哪个部分数值不合适就修改 重新模拟。还有环结的环宽、间距也要合适，否则得不到击穿电压。

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